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MIC03  Processamento e Caracterização Físico-Química do Silício
Objetivos: Introduzir o aluno ao ambiente de sala limpa, aos métodos e técnicas básicos do processamento do silício e às técnicas complementares para fabricação de dispositivos. Introduzir o aluno aos métodos de caracterização físico-química e elétrica das sucessivas etapas de fabricação de dispositivos integrados.

Créditos: 4
  • Súmula
    1. Limpeza, ataques úmidos e por plasma;
    2. Técnicas de vácuo e plasmas;
    3. Fotolitografia e máscaras;
    4. Implantação iônica. Difusão térmica.
    5. Oxidação do silício, deposição de óxido de silício (PSG e PBSG), nitreto de silício e silício policristalino;
    6. Deposição de metais;
    7. Montagem e teste de circuitos integrados. Caracterização de materiais sem uso de estrutura de teste;
    8. Resistividade dos silício e metais, profundidade de junção, defeitos induzidos no processamento, medidas de rugosidade de superfície (AFM), medidas de espessura de filmes finos, conceitos de microscopia eletrônica de varredura e de transmissão;
    9. Técnicas de caracterização com uso de microestruturas de teste. Caracterização de processos fotolitográficos.
  • Bibliografia
    • Stephen A Campbell, The Science and Engineering of Microelectronics Fabrication Oxford Univ. Press, 1996.
    • Richard C Jaeger, Introduction to Microelectronics Fabrication, Addison-Wesley, 1998.
    • Gary E. Mcguire, Semiconductor materials and process technology handbook, Park Ridge : Noyes, 1988.
    • G Rabbat, Handbook of advanced semiconductor technology and computer systems, New York : Van Nostrand Reinhold, 1988
    • Y P Tsividis, Operation and Modeling of the MOS Transistor, McGraw-Hill, 1994.