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Exame de Qualificação – Gabriela Firpo Furtado


Detalhes do Evento


O Programa de Pós-Graduação em Microeletrônica – PGMICRO, da Universidade Federal do Rio Grande do Sul, tem a satisfação de convidar a Comunidade Universitária para assistir ao Exame de Qualificação a realizar-se:

Data: 06/12/2019 às 13h:30 horas.

Local: Escola de Engenharia/Departamento de Engenharia Elétrica

Aluno (a): GABRIELA FIRPO FURTADO

Título: Monte Carlo Simulation of n-type Bulk-Si, n-MOSFETs and n-FinFETs”.

Orientador: Prof. Dr. Gilson Inácio Wirth

Banca Examinadora:

Prof. Dr. Cristiano Krug (UFRGS / I.F)

Prof. Dr. Luiz Fernando Ferreira (UFRGS / E.E)

Prof. Dr Tiago Roberto Balen (UFRGS/PGMICRO)

Resumo

 A constante redução das dimensões dos dispositivos semicondutores acarreta um aumento na variabilidade, levando a uma distribuição aleatória dos parâmetros dos dispositivos e da resposta de circuitos. É imprescindível, portanto, que se desenvolvam modelos e simuladores capazes de predizer adequadamente o comportamento elétrico dos dispositivos e suas flutuações. Neste trabalho, desse modo, desenvolveu-se um simulador de substrato de silício, o qual foi expandido para um simulador atomístico TCAD de n-MOSFETs baseado no método Ensemble Monte Carlo (EMC). Capaz de simular dispositivos de escala nanométrica, o simulador fornece informações acerca de seu comportamento e dependência com diferentes parâmetros, sem a necessidade de dados experimentais. O simulador de substrato permitiu a observação de overshoot de velocidade, além de mostrar concordância com dados experimentais para energia e velocidade dos portadores. O simulador de n-MOSFETs, alternativamente, mostrou-se capaz de prever de modo adequado o funcionamento dos dispositivos, apresentando resultados coerentes para aspectos como conservação de carga, velocidade e energia dos elétrons, corrente elétrica, densidade de portadores e potencial elétrico. O simulador de dispositivos planares será, por fim, expandido para FinFETs, incluindo a tecnologia de silicon on insulator (SOI).

Palavras-chave: Simulação de Dispositivos; TCAD; Método de Monte Carlo.