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DEFESA DE DISSERTAÇÃO DE MESTRADO

O Programa de Pós-Graduação em Microeletrônica – PGMICRO, da Universidade Federal do Rio Grande do Sul, tem a satisfação de convidar a Comunidade Universitária para assistir à defesa pública de Dissertação de Mestrado do aluno  Thiago Hanna Both a realizar-se:

Titulo: Análise dos Efeitos de Dose Total Ionizante em Transistores CMOS Tecnologia 0,35 μm

Orientador: Prof. Dr. Gilson Inácio Wirth

Banca Examinadora:
Profa. Dra. Fernanda Kastensmidt (UFRGS/PGMicro)
Prof. Dr. Odair Lelis Gonçales (IEAv)
Prof. Dr. Tiago Roberto Balen (UFRGS/PGMicro)

Resumo: Este trabalho apresenta um estudo sobre a degradação de parâmetros elétricos de transistores CMOS tecnologia 0,35 μm, fabricados com o processo AMS C35B4, devido aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total são resultado do acúmulo de cargas em estruturas dielétricas de dispositivos semicondutores; em transistores MOS, este acúmulo de carga afeta parâmetros elétricos como a tensão de limiar, subthreshold swing, ruído 1/f, corrente de fuga e mobilidade efetiva dos portadores de carga. Com o objetivo de mensurar o impacto dos efeitos de dose total em transistores CMOS 0,35 μm, foi realizado um ensaio de irradiação, submetendo-se transistores de uma tecnologia comercial à radiação ionizante e realizando a caracterização destes dispositivos para diferentes doses totais acumuladas. Os resultados obtidos indicam a degradação dos transistores devido aos efeitos de dose total, bem como apontam a influência da polarização dos dispositivos durante o ensaio de irradiação nesta degradação. Estes resultados podem ser utilizados para, através de simulação elétrica de circuitos, estimar a tolerância à dose total de uma determinada topologia de circuito ou sistema.

Palavras-chave: CMOS, Dose Total, Radiação Ionizante.