Publicado em: 09/04/2015

Dispositivos Spintrônicos é tema de palestra no INF

Nesta sexta-feira, dia 10, acontecerá a palestra intitulada “Concepção de Circuitos com Dispositivos Spintrônicos”, ministrada pelo Dr. Raphael Brum. O evento acontecerá às 13:30, sala 104, prédio 43425 (73) salas de aula, do Instituto de Informática.

Palestrante: Raphael Brum

Título: Concepção de Circuitos com Dispositivos Spintrônicos

Resumo:

Um dispositivo spintrônico é aquele que manipula não somente a carga do elétron, como fazem os dispositivos eletrônicos comuns, mas também o seu spin. As junções de tunelamento magnético (MTJs) são exemplos desse tipo de dispositivo. As MTJs já estão consolidadas no ramo de discos rígidos, sendo utilizadas como sensores de leitura de alta precisão há mais de uma década. Ao lado de outras tecnologias de memórias emergentes, a tecnologia MRAM surge como potencial alternativa viável para a implementação de memórias rápidas, no lugar de memórias rápidas voláteis tradicionais, como a SRAM e a DRAM. Nesta palestra, o princípio de funcionamento das junções magnéticas é apresentado, bem como as potenciais aplicações desses dispositivos para os circuitos lógicos, as quais têm sido investigadas com grande entusiasmo pela comunidade científica nos últimos anos.

Short Bio:

Raphael Brum é formado em Engenharia de Computação pela UFRGS (2007) e Doutor em Microeletrônica (2014) pela Universidade de Montpellier, França. O objeto de pesquisa de seu doutorado, desenvolvido entre 2010 e 2014, foram métodos de concepção de circuitos integrados que combinam memórias magnéticas (MRAM) e transistores CMOS. Anteriormente, Raphael também atuou na indústria como Engenheiro de Desenvolvimento no ramo de Electronic Design Automation (EDA).