UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL
PROGRAMA DE POS-GRADUACAO EM MICROELETRÔNICA

DEFESA DE EXAME DE QUALIFICAÇÃO AO DOUTORADO

O Programa de Pós-Graduação em Microeletrônica PGMicro, convida a comunidade acadêmica para a Defesa do Exame de Qualificação do Aluno Augusto A. D. Mattos.

Aluno: Augusto A. D. de Mattos
Orientador: Prof. Dr. Paulo Fernando Papaleo Fichtner

Titulo: Utilização de co-implantação de Hélio e de  Hidrogênio, camadas amorfas enterradas e hidrogenação assistida por  plasma na formação de zonas frágeis para utilização em corte iônico

Area de Pesquisa: Materiais para Microeletronica

Data: 18/05/2010
Hora: 9:30
Local: Centro de Microscopia Eletrônica

Banca Examinadora:
Prof. Dr. Marcos Zen Vasconcellos (IF-UFRGS)
Prof. Dr. Gustavo M. de Azevedo (IF-UFRGS)
Prof. Dr. Flavio Horowitz (PGMicro)
Prof. Dr. Henri Boudinov (PGMicro) suplente

Presidente da Banca:
Prof. Dr.Paulo Fernando Papaleo Fichtner

Resumo: Os substratos do tipo Silício sobre Isolante (SOI) tem sido usados em aplicações de alto desempenho, tais como microprocessadores e circuitos integrados de aplicação específica (ASICS). Várias técnicas foram estudadas ao longo da década de 1990 para a obtenção de substratos deste tipo.

A obtenção destes substratos através de corte iônico (Smart-Cut ou Ion-Cut) e a colagem dos subtratos (wafer bonding) é talvez, a técnica mais utilizada comercialmente. O corte iônico é basicamente obtido pela criação de defeitos estendidos do tipo platelets e nanotrincas na região aonde deve ocorrer a separação das camadas. Para a obtenção destas zonas frágeis em uma profundidade bem definida implanta-se Hidrogênio em altas fluências.

A diminuição da fluência para a implantação de H, tem sido alvo de estudo devido a sua direta correlação com os custos de processo. Os substratos usados em células fotovoltaicas são em geral semelhantes aqueles utilizados pela indústria microeletrônica, mas com menores exigências de qualidade. Este trabalho apresenta uma contribuição no estudo e entendimento de algumas alternativas para a produção de substratos através de corte iônico que poderiam ser utilizados como substratos para silício de grau solar. Somente na região ativa da célula teremos um filme com alta qualidade minimizando o uso de material. O hidrogênio tem papel fundamental na criação e propagação de nanotrincas para o corte iônico.
Neste sentido o estudo e a caracterização da incorporação de H com vistas ao processo de corte iônico é o tema principal deste trabalho. Investigou-se numa linha de estudo a co-implantação de H e He combinada com diferentes tratamentos térmicos como forma de diminuir a fluência utilizada.
A segunda linha de estudo trata da criação de camadas amorfas enterradas como forma de aprisionamento de H. Para introduzir H no substrato utilizou-se um processo de hidrogenação assistida por plasma, sendo necessário a criação de defeitos numa determinada região de interesse como forma de aprisionar H.
Neste sentido a proposta deste trabalho foi a de utilizar camadas amorfas enterradas como regiões de alta densidade de defeitos para promover o aprisionamento de H.

Palavras-Chave: implantação iônica, corte iônico, engenharia de defeitos.