Publicado em: 18/06/2026
Palestra do IEEE CASS RS Talks 2026
Serão apresentados avanços na compreensão da confiabilidade de semicondutores de banda larga submetidos a ambientes de alta temperatura e radiação
A UFRGS sediará, no dia 26 de junho de 2026, às 13h30 (horário de Brasília), palestra do IEEE CASS RS Talks, transmitida pelo canal www.youtube.com/cassriograndedosul.
O evento contará com a participação da Profa. Corinna Martinella, da University of Montpellier (France), que apresentará a palestra “Total Ionizing Dose and Displacement Damage Effects in Silicon Carbide Technologies”.
Resumo:
As propriedades físicas, elétricas e térmicas do carbeto de silício (SiC) tornam esse semicondutor de banda larga (wide-bandgap semiconductor) um candidato promissor para aplicações em ambientes severos. Em comparação com o silício (Si), sua maior condutividade térmica e a maior energia necessária para ionização e formação de defeitos fazem do SiC uma tecnologia particularmente atrativa para eletrônica de potência e detectores que operam em condições de alta temperatura e elevada radiação.
Entretanto, apesar de sua robustez, o SiC continua suscetível a efeitos induzidos por radiação, que podem degradar o desempenho e a confiabilidade dos dispositivos. Esta palestra revisa os mecanismos de dano por deslocamento (Displacement Damage – DD) e de dose ionizante total (Total Ionizing Dose – TID) em tecnologias baseadas em SiC, destacando a influência da arquitetura dos dispositivos em sua resposta à radiação.
Serão apresentados resultados experimentais obtidos por meio de técnicas de caracterização elétrica e espectroscopia de defeitos, fornecendo uma melhor compreensão dos mecanismos responsáveis pela degradação induzida por radiação em materiais e dispositivos de SiC.
Sobre a palestrante:
Corinna Martinella recebeu o título de Mestre em Engenharia Nuclear pela Politécnica de Milão em 2016. Em 2021, obteve o título de Doutora em Física Aplicada pela Universidade de Jyväskylä, desenvolvendo sua pesquisa na Organização Europeia para a Pesquisa Nuclear (CERN).
Seu trabalho concentrou-se nos mecanismos fundamentais de danos causados por radiação e na confiabilidade de dispositivos comerciais de potência baseados em carbeto de silício (SiC), voltados para aplicações aeroespaciais e de física de altas energias.
Entre 2022 e 2025, atuou no Departamento de Tecnologia da Informação e Engenharia Elétrica (D-ITET) da ETH Zurich, inicialmente como pesquisadora de pós-doutorado e docente na área de semicondutores de potência, e posteriormente como Cientista Sênior.
Desde 2026, é Professora Assistente no Instituto de Eletrônica e Sistemas (IES) da Universidade de Montpellier.
Seus interesses de pesquisa incluem a confiabilidade de dispositivos de potência de banda larga (wide-bandgap), testes e modelagem dos efeitos da radiação, bem como técnicas de dopagem para a próxima geração de componentes eletrônicos de potência.
Assista ao vivo pelo YouTube e participe do diálogo!